Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Интегральные микросхемы
Модули памяти

Модули памяти

Сбросить фильтр
Популярные
UPD44325362BF5-E40-FQ1

Renesas Electronics Corporation

UPD44325362BF5-E40-FQ1
Микросхема: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

60896 шт - 3-6 недель

65 508 ₽

6 шт — 10 918 ₽

UPD44324185BF5-E40-FQ1

Renesas Electronics Corporation

UPD44324185BF5-E40-FQ1
Микросхема: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

36634 шт - 3-6 недель

52 492 ₽

4 шт — 13 123 ₽

UPD44325084BF5-E40-FQ1

Renesas Electronics Corporation

UPD44325084BF5-E40-FQ1
Микросхема: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

17260 шт - 3-6 недель

65 508 ₽

6 шт — 10 918 ₽

UPD44324362BF5-E40-FQ1

Renesas Electronics Corporation

UPD44324362BF5-E40-FQ1
Микросхема: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

14456 шт - 3-6 недель

65 508 ₽

6 шт — 10 918 ₽

CY7C1512V18-250BZC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1512V18-250BZC
Микросхема: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA

8182 шт - 3-6 недель

57 912 ₽

2 шт — 28 956 ₽

CY7C1423AV18-250BZXC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1423AV18-250BZXC
Микросхема: DDR SRAM, 2MX18, 0.45NS

7275 шт - 3-6 недель

59 616 ₽

8 шт — 7 452 ₽

UPD44325184BF5-E40-FQ1

Renesas Electronics Corporation

UPD44325184BF5-E40-FQ1
Микросхема: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

6945 шт - 3-6 недель

65 508 ₽

6 шт — 10 918 ₽

UPD44325182BF5-E40-FQ1-A

Renesas Electronics Corporation

UPD44325182BF5-E40-FQ1-A
Микросхема: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

6546 шт - 3-6 недель

65 508 ₽

6 шт — 10 918 ₽

CY7C1512AV18-200BZI

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1512AV18-200BZI
Микросхема: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA

6493 шт - 3-6 недель

66 370 ₽

2 шт — 33 185 ₽

CY7C1525JV18-250BZC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1525JV18-250BZC
Микросхема: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA

6036 шт - 3-6 недель

58 720 ₽

2 шт — 29 360 ₽

UPD44324365BF5-E40-FQ1

Renesas Electronics Corporation

UPD44324365BF5-E40-FQ1
Микросхема: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

5710 шт - 3-6 недель

65 508 ₽

6 шт — 10 918 ₽

CY7C1418BV18-250BZI

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1418BV18-250BZI
Микросхема: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

4864 шт - 3-6 недель

63 570 ₽

6 шт — 10 595 ₽

CY7C1514V18-250BZI

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1514V18-250BZI
Микросхема: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA

3801 шт - 3-6 недель

60 736 ₽

2 шт — 30 368 ₽

CY7C1420AV18-200BZC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1420AV18-200BZC
Микросхема: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

3508 шт - 3-6 недель

57 144 ₽

6 шт — 9 524 ₽

CY7C1440KV25-250BZXI

Infineon Technologies

CY7C1440KV25-250BZXI
Микросхема: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

3424 шт - 3-6 недель

165 240 ₽

20 шт — 8 262 ₽

105 шт — 9 608 ₽

CY7C1520JV18-300BZXC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1520JV18-300BZXC
Микросхема: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA

3037 шт - 3-6 недель

58 720 ₽

2 шт — 29 360 ₽

CY7C1423JV18-250BZXC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1423JV18-250BZXC
Микросхема: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

3007 шт - 3-6 недель

59 630 ₽

5 шт — 11 926 ₽

CY7C1414BV18-250BZC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1414BV18-250BZC
Микросхема: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

2704 шт - 3-6 недель

60 767 ₽

7 шт — 8 681 ₽

UPD44325364BF5-E40-FQ1-A

Renesas Electronics Corporation

UPD44325364BF5-E40-FQ1-A
Микросхема: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

2613 шт - 3-6 недель

65 508 ₽

6 шт — 10 918 ₽

CY7C1414BV18-200BZXI

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1414BV18-200BZXI
Микросхема: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

2467 шт - 3-6 недель

58 198 ₽

7 шт — 8 314 ₽

Модули памяти

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Модули памяти (Интегральные микросхемы)

Модули памяти: цифровая нервная система современной электроники

В мире, где каждое устройство стремится стать умнее и быстрее, модули памяти выполняют роль фундаментальной основы, на которой строится вся цифровая логика. Это не просто пассивные хранилища данных, а высокоскоростные буферы, обеспечивающие бесперебойный диалог между процессором и остальными компонентами системы. Без них невозможна работа ни одного сложного электронного устройства — от системы управления лифтом в вашем доме, где микроконтроллер постоянно считывает и записывает данные о этажах и командах, до профессионального звукового микшера, обрабатывающего несколько аудиопотоков в реальном времени. Их надежность и скорость напрямую определяют отзывчивость интерфейса, стабильность выполнения прошивки и общую производительность конечного продукта, будь то умный счетчик коммунальных ресурсов или бортовой компьютер промышленного станка.

Микросхемы памяти SOIC на печатной плате

Эволюция технологий: от килобайтов к гигабайтам на кристалле

История развития модулей памяти — это гонка за плотностью, энергоэффективностью и быстродействием. Если первые микросхемы статической памяти (SRAM) измеряли свой объем в килобайтах и потребляли значительную мощность, то современные чипы динамической памяти (DRAM) и флеш-памяти (NAND, NOR) вмещают гигабайты данных, оставаясь крайне экономичными. Ключевым прорывом стало изобретение памяти типа DDR, которая передает данные по обоим фронтам тактового импульса, effectively удваивая пропускную способность без увеличения частоты. Это решение стало отраслевым стандартом для вычислительных систем. Параллельно развивалась флеш-память, позволившая создать компактные и энергонезависимые накопители, которые произвели революцию в портативной технике. Сегодня тренды смещаются в сторону низковольтных решений (LPDDR) для мобильных и IoT-устройств и повышения надежности за счет ECC (коррекции ошибок) в ответственных applications, таких как медицинское оборудование и телекоммуникационные серверы.

Разнообразие решений для конкретных инженерных задач

Выбор конкретного типа памяти диктуется архитектурой проекта и экономическими соображениями. Для кэширования критически важных данных, где важна скорость, а не объем, идеально подходит SRAM — ее можно найти в кэш-памяти процессоров, сетевых маршрутизаторах и высокоскоростных буферах связи. Более емкая и дешевая DRAM составляет основную оперативную память в персональных компьютерах, серверах и сложных мультимедийных системах. Ее разновидности, такие как DDR3, DDR4 и DDR5, предлагают различный баланс производительности и энергопотребления. Для хранения прошивки, операционных систем и пользовательских данных применяется энергонезависимая память. NOR Flash часто используется для хранения кода благодаря возможности быстрого произвольного доступа, в то время как более емкая NAND Flash лежит в основе SSD-накопителей и карт памяти. Отдельно стоит выделить серию EEPROM, незаменимую для хранения небольших, но часто изменяемых данных конфигурации, как в автомобильной электронике или системах умного дома.

На что обратить внимание при выборе?

Подбор модуля памяти — это не только поиск по форм-фактору. Несколько ключевых параметров определяют совместимость и производительность:

  • Тип и поколение: DDR3, DDR4, LPDDR4, SRAM, EEPROM — каждый тип имеет свои уникальные характеристики напряжения и таймингов.
  • Объем и организация: Количество мега- или гигабайт (64Mbit, 2GB) и разрядность шины (x8, x16) должны соответствовать требованиям контроллера.
  • Скорость (Тактовая частота или пропускная способность): Обозначается в мегагерцах (МГц) или как пропускная способность (например, PC4-25600). Выбор должен соответствовать возможностям системы.
  • Напряжение питания: Современные чипы работают при пониженном напряжении (1.2V, 1.35V), что критично для энергосберегающих проектов.
  • Корпус: Форм-фактор (SOIC, TSOP, BGA, DIP) определяет технологию монтажа (автоматический или ручной).
  • Дополнительные функции: Наличие ECC (коррекция ошибок) для повышения надежности или функции самообновления (Self-Refresh) для энергосбережения.

Почему заказчики выбирают «Эиком Ру»?

Наш магазин стал надежным партнером для сотен инженеров и компаний именно потому, что мы глубоко понимаем суть ваших задач. Мы предлагаем не просто каталог деталей, а тщательно сформированную базу компонентов от проверенных производителей (Micron, Samsung, Winbond, ISSI), где каждая позиция прошла строгий входной контроль. Это гарантирует, что вы получите именно те микросхемы, которые обеспечат стабильную работу вашего устройства на протяжении всего его жизненного цикла. Мы гордимся своим обширным складским ассортиментом, который позволяет быстро комплектовать заказы и предлагать конкурентные цены без ущерба для качества. А нашим ключевым преимуществом для клиентов со всей России является бесплатная доставка заказов, что делает сотрудничество не только надежным, но и максимально выгодным. Мы ценим ваше время и доверие.

Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП